無(wú)論 iPhone還是Android手機(jī), 都面臨一個(gè)巨大瓶頸
南橋北橋不是橋
散熱問(wèn)題只是表象,Soc工藝瓶頸才是關(guān)鍵。近年的移動(dòng)設(shè)備速度越來(lái)越快,至少在跑分上是節(jié)節(jié)攀升。但用戶(hù)感知度卻不高,這其中的問(wèn)題其實(shí)有多方面原因,最終都要落在Soc的工藝上。高通最新一代的888處理器就有著嚴(yán)重的發(fā)熱問(wèn)題。
發(fā)熱的根源是較低的功耗比,為了提高性能最直接的辦法就是堆晶體管數(shù)量,或者更宏觀的架構(gòu)層面堆核心,雖然理論上性能得到提升,但是制作工藝不升級(jí)的情況下光堆晶體管只會(huì)增加功耗,隨之而來(lái)的就是大量的發(fā)熱和能量損耗。
緊接著,大量的功耗有兩個(gè)顯著的影響去。其一是電池容量卻再也不夠了。你會(huì)發(fā)現(xiàn)每一代手機(jī)升級(jí)電池都會(huì)做大,但實(shí)際續(xù)航一般都是一天,背后的緣由一方面就是Soc功耗大,當(dāng)然屏幕尺寸等也會(huì)影響續(xù)航。
其二,發(fā)熱大,不散熱的情況下Soc的效能會(huì)受到影響,只能降頻運(yùn)行,也就是遇到了我們常說(shuō)的功耗墻,所謂提升的性能化為烏有。而便攜設(shè)備,在硬件設(shè)計(jì)上往往操作空間不大,很難為其設(shè)計(jì)散熱系統(tǒng)勤,而且在手機(jī)上往往是被動(dòng)散熱,不像大型設(shè)備可以肆無(wú)忌憚使用風(fēng)冷甚至水冷,以保持器核心的長(zhǎng)時(shí)間高效能運(yùn)行。
不過(guò),隨著代工廠的技術(shù)突破,2nm已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn)。蘋(píng)果的M系芯片直接把英特爾14nm++++工藝按在地上,其實(shí)我們也能看到。想要突破瓶頸,可能要從更底層的技術(shù)上下手,制作工藝之外,指令集設(shè)計(jì),Soc架構(gòu)等,都是亟待開(kāi)發(fā)的突破點(diǎn)。